Progress bringt Experiment "Ekran-M"Zu diesem "Ekran-M" gibt es bei ENERGIA/Roskos eine Beschreibung.
"Ekran-M" ist zur Grundlagenforschung der Halbleiterproduktion für Galliumarsenid im Hochvakuum gedacht.
Galliumarsenid wird in der Leistungselektronik, zur Herstellung von Lasern, Fotodioden und Solarbatterien verwendet.

Komplexer wissenschaftlicher Apparat KNA-MLE
Die Anlage ermöglicht die schichtweise Abscheidung kristalliner Filme auf einem Substrat. Dazu werden die Quellen erhitzt, das Material verdampft und die gebildeten Atomströme lagern sich auf dem Substrat ab, wodurch eine neue Struktur mit höchster Präzision entsteht.
Die Kosmonauten müssen die Ausrüstung an der Außenwand der Raum-Station installieren und können dann aus der Station heraus über Monitor die Prozesse steuern.
Das Display zeigt die Vorräte an Ga und As sowie den Stromverbrauch an, weiterhin das Ziel NP (Wiss. Probe), den Liftmechanismus und alle Temperaturen im Gefäß.
Die rote Anzeige warnt, dass
Keine Verbindung besteht
und darunter steht Ethernet: Nicht verbunden.

Display zur manuellen Steuerung
Fotos: N.Dmitriewa Quelle:
RKK ENERGIA/RoskosGruß, HausD