Die SiC-Wafer von A2M (ACME Advanced Materials) werden laut Twittermeldung aktuell an zwei unterschiedlichen Fronten vermessen: Stanford University und University of New Mexico. An beiden Institutionen möchte man Bauteile auf dem Wafersubstrat herstellen (z.B. Schottky-Dioden).
Außerdem neu: Im Gegensatz zu den auf dem Markt verfügbaren
Prime-Grade oder
A-Grade-Wafer, nennt A2M seine neuen Wafer nun
S-Grade-Wafer (für Space)...
Gegenwärtig gibt es zwar noch keine Firmenseite aber auf Twitter ist man wie gesagt bereits aktiv (Quelle der Grafiken):
Ich finde den Unternehmensspruch von A2M sehr kurzweilig: "Sermo minor, operor magis"....etwas freier übersetzt: "Weniger reden, mehr handeln", oder wie man bei mir zuhause sagen würde: "Net schwätze, mache".
Es wurden auch bereits erste vergleichende Messergebnisse veröffentlicht:
Einmal wurde die Strom-Spannungs-Kennlinie eines Wafers vor dem Flug (blau) und nach dem Flug (rot) dargestellt und einmal die Verlustleistung über den (Durchlass-?)strom.
Bei den Ergebnissen müssten die potentiellen Kunden schon richtig unruhig werden. So richtig lukrativ wird das ganze aber erst auf doppelt so großen 8"-Substraten (laut A2M sollten diese Substratgrößen schnell verfügbar sein). Der Flächengewinn wäre das Vierfache und würde erst richtige Stückzahlen ermöglichen.